삼성전자는 차세대 고성능 모바일 기기, 메모리카드, SSD(Solid State Drive) 등에 탑재할 차세대 고속 낸드플래시 기술을 개발, 내년 양산에 들어간다고 22일 밝혔다.

삼성전자는 이번에 개발한 차세대 고속 낸드플래시 인터페이스 규격인 ‘Toggle DDR(Double Data Rate) 2.0’ 방식의 기술을 통해 플래시 메모리 시장 성장을 이끈다는 방침이다.

삼성전자가 차세대 고속 낸드플래시 기술을 개발, 내년 양산에 들어간다. 사진은 지난 5월 출시한 8Gb 용량의 '원낸드(OneNAND)

회사측에 따르면, 차세대 고속 낸드플래시는 기존 SDR(Single Data Rate) 방식의 범용 낸드플래시의 데이터 처리속도 40Mbps에 비해서는 10배, 133Mbps인 ‘Toggle DDR 1.0’ 방식 고속 낸드플래시에 비해서는 3배 빠르다.

차세대 고속 낸드플래시를 SATA2(Serial Advanced Technology Attachment 2) SSD에 탑재할 경우, 현재보다 읽기?쓰기 속도를 두 배로 높일 수 있다고 회사측은 덧붙였다.

삼성전자는 이번 차세대 고속 낸드플래시를 내년부터 본격 양산할 예정이다. 아울러 ‘Toggle DDR 2.0’이 시장 표준으로 자리잡을 수 있도록 JEDEC(세계반도체표준협의기구, Joint Electron Device Engineering Council) 표준 등록을 추진하고 있다.

삼성전자는 지난 6월 JEDEC에 차세대 고속 낸드플래시 표준으로 ‘Toggle DDR 2.0’을 제안했으며, 내년 초까지 등록을 완료할 계획이다. 일본 도시바도 ‘Toggle DDR 2.0’ 표준화 작업에 참여한다고 회사측은 덧붙였다.

낸드플래시를 탑재하는 제품들의 발전에 따라 삼성전자는 20나노급 이하 낸드플래시 전 제품에 ‘Toggle DDR 2.0’ 기술을 적용할 계획이다.

이에 앞서 삼성전자는 지난해 ‘Toggle DDR 1.0’ 방식의 30나노급 32Gb 고속 낸드플래시를 세계 최초로 양산한 바 있다.

삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 전동수 부사장은 “삼성전자는 지난해 11월 30나노급 고속 낸드플래시를 최초 양산하는 등 고성능 낸드플래시 시장을 주도해왔다”며, “앞으로 고속 낸드플래시는 4세대 스마트폰, 태블릿PC, SSD 등에 탑재되면서 수요가 급증해 시장을 성장을 이끌 것”이라고 말했다.

한편, 삼성전자는 고성능?대용량 플래시 메모리 솔루션을 고객 요구에 맞춰 다양하게 공급, 낸드플래시 탑재 응용제품 시장 성장과 함께 플래시 메모리 성장을 이끌어 나갈 계획이다.