삼성, RRAM 내구성 향상 기술 성공

삼성전자는 12일, 차세대 메모리로 각광받고 있는 RRAM(Resistive Random Access Memory, 저항변화형 메모리)의 쓰기?지우기 내구성과 속도 등을 향상시킬 수 있는 기술 개발에 성공했다고 밝혔다. ? RRAM 기술은 쓰기?지우기 동작을 기존 플래시… Read more »