삼성전자가 세계 최초 30나노급 2Gb DDR3 D램을 개발했다. 노트북용 2GB 모듈 등 2종의 고객 평가를 완료한 상태로, 올해 하반기 30나노급 D램 양산을 통해 DDR3 시장을 선도한다는 방침이다.

삼성전자는 지난 1월 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발했다고 1일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난 1월 중순 평가 완료했다.

▲ 삼성전자가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 DDR3 D램을 개발했다.메모리 마케팅 담당자들이 이번에 개발한 30나노급 D램 웨이퍼를 들고 있는 모습.

삼성전자가 이번에 개발한 30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로, 삼성전자는 올해 하반기부터 본격 양산에 들어갈 예정이다.

회사측에 따르면, 그 동안 업계에서는 D램의 셀 구조상 현재 생산 공정에서는 40나노급 D램이 한계로 여겨져 왔지만, 삼성전자는 40나노급 D램을 개발한 지 1년만에 한계를 극복하고 30나노급 공정을 개발해 냈다.

또한, 삼성전자는 50나노급 공정을 개발한 후 40나노급 공정을 개발하기까지 2년 이상 시간이 걸힌 데 비해, 30나노급 공정을 1년 만에 개발해 내면서 기술 개발의 의미를 더 했다고 덧붙였다.

30나노급 D램은 지난해 7월 삼성전자가 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다는 게 회사측 설명이다.

또, 30나노급 D램은 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.

예를 들어, 노트북에 30나노급 4GB D램 모듈을 사용하면 시간당 전력 소비량은 약 3W 정도로 가정용 형광등 1개의 약 10%에 불과한데, 이는 노트북 전체 소비전력의 3% 수준에 해당한다.

▲ 삼성전자가 세계 최초로 개발했다고 밝힌 30나노급 2Gb DDR3 D램. 올 하반기 양산 예정이다.

특히 삼성전자 40나노급 공정에 이어 30나노급 공정을 1년만에 개발한 것은 DDR3 시장 확대에 맞춰 친환경 제품으로 서버에서부터 노트북까지 ‘그린 메모리’ 전략을 강화해 나가겠다는 전략의 일환이라고 설명했다.

삼성전자는 30나노급 2Gb DDR3 D램에 혁신적인 설계 기술을 적용해 업계 최고의 데이터 처리 속도를 구현했다.

삼성전자는 서버 솔루션으로 동작전압 1.35V에서 동작 속도가 1.6Gbps인 제품을 제공하고, PC 솔루션으로는 업계 최초로 1.866Gbps까지 공급할 예정이다.

특히, PC 솔루션에서 30나노급 D램이 구현한 DDR3 1.5V 1.866Gbps 동작 속도는 60나노급 DDR2 D램의 600Mbps 대비 약 3배, 40나노급 DDR3 D램의 1.333Gbps보다는 40%나 빠르다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “삼성전자가 지난해 40나노 2Gb DDR3 제품을 개발한 데 이어, 이번에 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상, 한 걸음 더 벌려 놓았다”며, “30나노급 D램은 최고 성능의 친환경 솔루션을 제공하는 제품으로, 고객들과의 윈윈 관계를 더욱 강화시키는데 크게 기여할 것이다”고 말했다.

한편, 삼성전자는 올해 하반기 30나노급 D램 양산을 계기로 전력소비가 큰 서버는 물론 노트북까지 적극적으로 ‘그린 메모리’ 판매 비중을 확대해 나간다는 전략이다.

삼성전자는 향후에도 업계 최고의 기술력을 발휘해 차세대 D램을 선행 개발하고, 대용량 저전력 제품으로 고부가가치 D램 시장을 적극 확대하는 한편, 고객 수요에 적극 대응해 D램 시장 성장을 견인해 나갈 계획이다.