삼성전자는 자사 DMC연구소장 김기호 부사장과 삼성전기 기술총괄 김창현 전무가 미국 전기전자공학회(IEEE : Institute of Electrical and Electronics Engineers)의 석학회원(Fellow : 펠로우)으로 선임됐다고 3일 밝혔다.

‘IEEE Fellow’는 IEEE 회원 최상위 0.1% 내에 있는 회원에게 부여하는 최고 등급으로 반도체, 전기, 전자 등 각 분야에서 10년 이상 경력자인 회원 중 탁월한 자질과 연구개발 업적으로 사회 발전에 기여한 사람을 대상으로 매년 선정된다.

삼성전자 DMC연구소장 김기호 부사장은 4G(세대) 안테나 기술?수신기술 개발과 세계최초 4G 시연 등을 통한 4G 상용화/표준화에 기여했으며 활발한 국제이동통신분야 표준활동(IEEE 802.11, IEEE802.16, 3GPP)으로 WiBro, LTE에서 다수의 4G 표준기술 확보했고, 이동통신분야의 해외 우수 학회 기조연설 등을 통한 4G 기술의 확대에 크게 기여했다.
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김 부사장은 디지털 신호처리 전문가로 통하며 통신시스템은 물론 멀티미디어, 시스템 아키텍처, 소프트웨어에 정통한 삼성의 대표적인 기술 리더이다.

1980년 한양대 전자공학부(학사)와 1982년 KAIST 전자공학(석사)을 졸업하고 1991년 미국 텍사스 주립대(UT Austin)에서 박사학위를 취득한 김 부사장은 삼성전자 통신연구소와 종합기술원을 거쳐 현재 삼성전자 DMC연구소장으로 있다.

한편 삼성전기 기술총괄 김창현 전무는 반도체 분야의 저전력, 고성능, 고집적 메모리 개발 기술의 업적으로 IEEE 펠로우에 선정됐다.

김 전무는 세계 최초 1GHz 동작의 램버스DRAM 개발로 초고속 DRAM 시대를 개척했고, DDR2/DDR3 제품 선행 개발로 고성능 제품 구현과 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council : 국제 반도체공학 표준 협의기구)표준화를 선도한 인물로 유명하다.

또한 3D Cell 및 칩 스택(Chip Stack) 신기술 개발로 고집적 기술 확보 및 메모리 반도체 한계를 극복하는데 크게 기여했다.
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김 전무는 2004년에 삼성의 기술을 대표하는 인력에게 부여하는 최고의 명예인 삼성 Fellow에 선정된 바 있다.

김 전무는 1982년 서울대 전자공학부를 졸업하고, 1995년 미국 미시건대 학술연수를 통해 박사학위를 취득했다. 현재 삼성전기 기술총괄 및 연구소장으로 있다.